WEKO3
アイテム
FZおよびCZ成長n形シリコンにおける鉄関連欠陥の導入特性
http://hdl.handle.net/11478/00001647
http://hdl.handle.net/11478/0000164709caff30-e27f-4661-b632-092f177d4fbd
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
|---|---|---|
30(1)-51.pdf (529.2 kB)
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| Item type | 紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1) | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2021-02-16 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | FZおよびCZ成長n形シリコンにおける鉄関連欠陥の導入特性 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | In-Diffusion Process of Iron-Related Defects in FZ- and CZ-Grown N-Type Silicon | |||||
| 言語 | en | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | jpn | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | n-type Si | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | FZ Si | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | CZ Si | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | iron-related defects | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | in-diffusion | |||||
| キーワード | ||||||
| 言語 | en | |||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | n-type Si | |||||
| キーワード | ||||||
| 言語 | en | |||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | FZ Si | |||||
| キーワード | ||||||
| 言語 | en | |||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | CZ Si | |||||
| キーワード | ||||||
| 言語 | en | |||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | iron-related defects | |||||
| キーワード | ||||||
| 言語 | en | |||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | in-diffusion | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||
| 資源タイプ | departmental bulletin paper | |||||
| 著者 |
田中, 秀司
× 田中, 秀司× 北川, 興 |
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| 著者(ヨミ) | ||||||
| 識別子Scheme | WEKO | |||||
| 識別子 | 3175 | |||||
| 姓名 | タナカ, シュウジ | |||||
| 著者(ヨミ) | ||||||
| 識別子Scheme | WEKO | |||||
| 識別子 | 3176 | |||||
| 姓名 | キタガワ, ハジメ | |||||
| 別言語の著者 | ||||||
| 識別子Scheme | WEKO | |||||
| 識別子 | 3213 | |||||
| 姓名 | TANAKA, Shuji | |||||
| 別言語の著者 | ||||||
| 識別子Scheme | WEKO | |||||
| 識別子 | 3214 | |||||
| 姓名 | KITAGAWA, Hajime | |||||
| 内容記述 | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | From deep level transient spectroscopy and Hall effect, it is shown that iron in Czochralski (CZ) n-type silicon can also be electrically ionized. In the in-diffusion process, the results suggest that the observed defects are intermediate states in iron-related complex formation process produced by a consecutive defect reaction. It is concluded that negatively charged and positively charged iron states coexist in CZ-grown n-type silicon as well as in floating zone (FZ)-grown n-type silicon. | |||||
| 書誌情報 |
福岡工業大学研究論集 en : RESEARCH BULLETIN OF FUKUOKA INSTITUTE OF TECHNOLOGY 巻 30, 号 1, p. 51-57, 発行日 1997-10-15 |
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| ISSN | ||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||
| 収録物識別子 | 02876620 | |||||
| フォーマット | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | application/pdf | |||||
| 著者版フラグ | ||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||
| タイトル（ヨミ） | ||||||
| その他のタイトル | FZ オヨビ CZ セイチョウ n ガタ シリコン ニオケル テツカンレン ケッカン ノ ドウニュウ トクセイ | |||||
| 出版者 | ||||||
| 出版者 | 福岡工業大学 | |||||
| 出版者（ヨミ） | ||||||
| 値 | フクオカ コウギョウ ダイガク | |||||
| 別言語の出版者 | ||||||
| 値 | Fukuoka Institute of Technology | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | 論文(Article) | |||||
| 資源タイプ・ローカル | ||||||
| 値 | 紀要論文 | |||||
| 資源タイプ・NII | ||||||
| 値 | Departmental Bulletin Paper | |||||
| 資源タイプ・DCMI | ||||||
| 値 | text | |||||
| 資源タイプ・ローカル表示コード | ||||||
| 値 | 02 | |||||
