WEKO3
アイテム
n形シリコン中鉄関連ドナー準位のPoole-Frenkel効果
http://hdl.handle.net/11478/00001666
http://hdl.handle.net/11478/0000166656b6dc36-b2f9-4825-b229-23669d09ebc4
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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29(1)-151.pdf (429.5 kB)
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| Item type | 紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1) | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2021-02-25 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | n形シリコン中鉄関連ドナー準位のPoole-Frenkel効果 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | Poole-Frenkel Effect of Iron-Related Donor Level in N-Type Silicon | |||||
| 言語 | en | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | jpn | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | n-type silicon | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | iron-related defects | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | Poole-Frenkel effect | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | DLTS | |||||
| キーワード | ||||||
| 言語 | en | |||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | n-type silicon | |||||
| キーワード | ||||||
| 言語 | en | |||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | iron-related defects | |||||
| キーワード | ||||||
| 言語 | en | |||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | Poole-Frenkel effect | |||||
| キーワード | ||||||
| 言語 | en | |||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | DLTS | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||
| 資源タイプ | departmental bulletin paper | |||||
| 著者 |
田中, 秀司
× 田中, 秀司× 北川, 興 |
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| 著者(ヨミ) | ||||||
| 識別子Scheme | WEKO | |||||
| 識別子 | 3272 | |||||
| 姓名 | タナカ, シュウジ | |||||
| 著者(ヨミ) | ||||||
| 識別子Scheme | WEKO | |||||
| 識別子 | 3273 | |||||
| 姓名 | キタガワ, ハジメ | |||||
| 別言語の著者 | ||||||
| 識別子Scheme | WEKO | |||||
| 識別子 | 3274 | |||||
| 姓名 | TANAKA, Shuji | |||||
| 別言語の著者 | ||||||
| 識別子Scheme | WEKO | |||||
| 識別子 | 3275 | |||||
| 姓名 | KITAGAWA, Hajime | |||||
| 内容記述 | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | Iron introduces three acceptor and one donor levels in n-type silicon : acceptor levels at Ee -0.12eV(level A), Ec-0.ZleV(level B) and at around Ec-0.3eV(level X) and donor level at Ec-0.4leV(level C). Poole-Frenkel effect in the depletion layer of Schottky barrier diode is studied in iron-doped n-type silicon containing different amount of phosphorus to confirm the donor character of level C and acceptor characters of the other levels. It is confirmed that level C is a donor-like electron trap because the trap must be neutral when it is filled by electron and positive when empty from the observation of the Poole-Frenkel effect. | |||||
| 書誌情報 |
福岡工業大学研究論集 en : RESEARCH BULLETIN OF FUKUOKA INSTITUTE OF TECHNOLOGY 巻 29, 号 1, p. 151-156, 発行日 1996-10-30 |
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| ISSN | ||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||
| 収録物識別子 | 02876620 | |||||
| フォーマット | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | application/pdf | |||||
| 著者版フラグ | ||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||
| タイトル（ヨミ） | ||||||
| その他のタイトル | Nガタ シリコン ナカテツ カンレン ドナー ジュンイ ノ Poole-Frenkel コウカ | |||||
| 出版者 | ||||||
| 出版者 | 福岡工業大学 | |||||
| 出版者（ヨミ） | ||||||
| 値 | フクオカ コウギョウ ダイガク | |||||
| 別言語の出版者 | ||||||
| 値 | Fukuoka Institute of Technology | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | 論文(Article) | |||||
| 資源タイプ・ローカル | ||||||
| 値 | 紀要論文 | |||||
| 資源タイプ・NII | ||||||
| 値 | Departmental Bulletin Paper | |||||
| 資源タイプ・DCMI | ||||||
| 値 | text | |||||
| 資源タイプ・ローカル表示コード | ||||||
| 値 | 02 | |||||
