WEKO3
-
RootNode
アイテム
シリコンp⁺/nエピタキシャルダイオードヘの正孔注入によるn形シリコン中鉄関連欠陥の再結合増速解離
http://hdl.handle.net/11478/00001638
http://hdl.handle.net/11478/00001638dbf68116-f588-42cf-bf3f-c22a9fdf4ebc
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
|---|---|---|
32(1)-77.pdf (457.7 kB)
|
|
| Item type | 紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1) | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2021-02-09 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | シリコンp⁺/nエピタキシャルダイオードヘの正孔注入によるn形シリコン中鉄関連欠陥の再結合増速解離 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | Recombination-Enhanced Dissociation of Iron-Related Defects in N-Type Silicon by Hole Injection into Epitaxial p⁺/n Silicon Diode | |||||
| 言語 | en | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | jpn | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | n-type Si | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | iron-related defects | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | recombination-enhanced dissociation | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | DLTS | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| キーワード | ||||||
| 言語 | en | |||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | n-type Si | |||||
| キーワード | ||||||
| 言語 | en | |||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | iron-related defects | |||||
| キーワード | ||||||
| 言語 | en | |||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | recombination-enhanced dissociation | |||||
| キーワード | ||||||
| 言語 | en | |||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | DLTS | |||||
| キーワード | ||||||
| 言語 | en | |||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||
| 資源タイプ | departmental bulletin paper | |||||
| 著者 |
田中, 秀司
× 田中, 秀司× 北川, 興 |
|||||
| 著者(ヨミ) | ||||||
| 識別子Scheme | WEKO | |||||
| 識別子 | 3124 | |||||
| 姓名 | タナカ, シュウジ | |||||
| 著者(ヨミ) | ||||||
| 識別子Scheme | WEKO | |||||
| 識別子 | 3125 | |||||
| 姓名 | キタガワ, ハジメ | |||||
| 別言語の著者 | ||||||
| 識別子Scheme | WEKO | |||||
| 識別子 | 3196 | |||||
| 姓名 | TANAKA, Shuji | |||||
| 別言語の著者 | ||||||
| 識別子Scheme | WEKO | |||||
| 識別子 | 3197 | |||||
| 姓名 | KITAGAWA, Hajime | |||||
| 内容記述 | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | In order to examine the cohesion mechanisms of iron-related defects (IRD) in n-type silicon, the recombination-enhanced dissociation of iron-related donor defects is investigated with minority carrier (hole) injection into the iron-doped n-type region of a p⁺/n epitaxial silicon diode. While the dissociation rate increases with the increase of forward current of the diode, the activation energy of the dissociation time constant is found to be about 0.65 e V which is the same as that of thermal dissociation time constant. The results indicate that a simple electrostatic attractive force takes part in the formation of the IRD. | |||||
| 書誌情報 |
福岡工業大学研究論集 en : RESEARCH BULLETIN OF FUKUOKA INSTITUTE OF TECHNOLOGY 巻 32, 号 1, p. 77-82, 発行日 1999-10-15 |
|||||
| ISSN | ||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||
| 収録物識別子 | 02876620 | |||||
| フォーマット | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | application/pdf | |||||
| 著者版フラグ | ||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||
| タイトル（ヨミ） | ||||||
| その他のタイトル | シリコン ｐ⁺/ｎ エピタキシャルダイオード ヘノ セイコウ チュウニュウ ニ ヨル ｎ ガタ シリコン ナカテツ カンレン ケッカン ノ サイケツゴウ ゾウソク カイリ | |||||
| 出版者 | ||||||
| 出版者 | 福岡工業大学 | |||||
| 出版者（ヨミ） | ||||||
| 値 | フクオカ コウギョウ ダイガク | |||||
| 別言語の出版者 | ||||||
| 値 | Fukuoka Institute of Technology | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | 論文(Article) | |||||
| 資源タイプ・ローカル | ||||||
| 値 | 紀要論文 | |||||
| 資源タイプ・NII | ||||||
| 値 | Departmental Bulletin Paper | |||||
| 資源タイプ・DCMI | ||||||
| 値 | text | |||||
| 資源タイプ・ローカル表示コード | ||||||
| 値 | 02 | |||||
