WEKO3
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MBE法によるバッファー層(SiC(0001)6√3x6√3R30°)上へのグラフェン成長
http://hdl.handle.net/11478/1214
http://hdl.handle.net/11478/1214a5ed78af-6fb6-4001-a228-3657a0b690d9
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
|---|---|---|
MBE法によるバッファー層(SiC(0001) 6√3x6√3R30°)上へのグラフェン成長.pdf (1.3 MB)
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| Item type | 紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1) | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2019-04-17 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | MBE法によるバッファー層(SiC(0001)6√3x6√3R30°)上へのグラフェン成長 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | Graphene growth on the buffer layer of SiC(0001) by molecular beam epitaxy | |||||
| 言語 | en | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | jpn | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | molecular beam epitaxy | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | Graphene | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | SiC(0001) | |||||
| キーワード | ||||||
| 言語 | en | |||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | molecular beam epitaxy | |||||
| キーワード | ||||||
| 言語 | en | |||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | Graphene | |||||
| キーワード | ||||||
| 言語 | en | |||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | SiC(0001) | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||
| 資源タイプ | departmental bulletin paper | |||||
| 著者 |
前田, 文彦
× 前田, 文彦× 高村, 真琴× 日々野, 浩樹 |
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| 著者(ヨミ) | ||||||
| 識別子Scheme | WEKO | |||||
| 識別子 | 2289 | |||||
| 姓名 | マエダ, フミヒコ | |||||
| 著者(ヨミ) | ||||||
| 識別子Scheme | WEKO | |||||
| 識別子 | 2290 | |||||
| 姓名 | タカムラ, マコト | |||||
| 著者(ヨミ) | ||||||
| 識別子Scheme | WEKO | |||||
| 識別子 | 2291 | |||||
| 姓名 | ヒビノ, ヒロキ | |||||
| 別言語の著者 | ||||||
| 識別子Scheme | WEKO | |||||
| 識別子 | 2292 | |||||
| 姓名 | MAEDA, Fumihiko | |||||
| 別言語の著者 | ||||||
| 識別子Scheme | WEKO | |||||
| 識別子 | 2293 | |||||
| 姓名 | TAKAMURA, Makoto | |||||
| 別言語の著者 | ||||||
| 識別子Scheme | WEKO | |||||
| 識別子 | 2294 | |||||
| 姓名 | HIBINO, Hiroki | |||||
| 内容記述 | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | To achieve the high quality graphene by molecular beam epitaxy (MBE), we previously obtained the suggestions that appropriate interaction between growth material and substrate is needed for the epitaxial growth of the graphene although inert surface is favorable for the substrates. Thus, we investigated MBE growth of graphene on the buffer layer (SiC(0001) 6√3x6√3R30°), whose atomic arrangement is the same as the graphene although its interaction is expected to be stronger than that of graphene because some carbon atoms of the buffer layer bond with underlying Si atoms and form electric dipoles by the charge inhomogeneity. Then, we achieved the epitaxial growth of graphene and the mobility value of 194cm2/V•s was obtained. This value is the highest value for the MBE-grown graphene. | |||||
| 書誌情報 |
福岡工業大学総合研究機構研究所所報 巻 1, p. 7-11, 発行日 2018-12 |
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| ISSN | ||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||
| 収録物識別子 | 24345725 | |||||
| フォーマット | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | application/pdf | |||||
| 形態 | ||||||
| 値 | 1283952 bytes | |||||
| 著者版フラグ | ||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||
| タイトル（ヨミ） | ||||||
| その他のタイトル | MBEホウ ニヨル バッファーソウ (SiC(0001) 6√3x6√3R30°)ジョウ エノ グラフェン セイチョウ | |||||
| 出版者 | ||||||
| 出版者 | 福岡工業大学総合研究機構 | |||||
| 出版者（ヨミ） | ||||||
| 値 | フクオカ コウギョウ ダイガク ソウゴウ ケンキュウ キコウ | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | 論文(Article) | |||||
| 資源タイプ・ローカル | ||||||
| 値 | 紀要論文 | |||||
| 資源タイプ・NII | ||||||
| 値 | Departmental Bulletin Paper | |||||
| 資源タイプ・DCMI | ||||||
| 値 | text | |||||
| 資源タイプ・ローカル表示コード | ||||||
| 値 | 01 | |||||
| コメント | ||||||
| 値 | エレクトロニクス研究所(Electronics Research Laboratory) | |||||
