WEKO3
アイテム
ダイオードの低電流領域における電気的特性
http://hdl.handle.net/11478/00001661
http://hdl.handle.net/11478/000016614055afde-37f1-4a9b-ab85-fd8763761a18
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
|---|---|---|
31(1)-101.pdf (423.5 kB)
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| Item type | 紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1) | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2021-02-25 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | ダイオードの低電流領域における電気的特性 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | The Electrical Characteristics of Junction Diode in Low current Region | |||||
| 言語 | en | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | jpn | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | pn junction | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | saturation current | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | low current region | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | frequency response | |||||
| キーワード | ||||||
| 言語 | en | |||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | pn junction | |||||
| キーワード | ||||||
| 言語 | en | |||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | saturation current | |||||
| キーワード | ||||||
| 言語 | en | |||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | low current region | |||||
| キーワード | ||||||
| 言語 | en | |||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | frequency response | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||
| 資源タイプ | departmental bulletin paper | |||||
| 著者 |
篠田, 鼎
× 篠田, 鼎× 服部, 毅範 |
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| 著者(ヨミ) | ||||||
| 識別子Scheme | WEKO | |||||
| 識別子 | 3253 | |||||
| 姓名 | シノダ, カナエ | |||||
| 著者(ヨミ) | ||||||
| 識別子Scheme | WEKO | |||||
| 識別子 | 3254 | |||||
| 姓名 | ハットリ, タケノリ | |||||
| 別言語の著者 | ||||||
| 識別子Scheme | WEKO | |||||
| 識別子 | 3255 | |||||
| 姓名 | SHINODA, Kanae | |||||
| 別言語の著者 | ||||||
| 識別子Scheme | WEKO | |||||
| 識別子 | 3256 | |||||
| 姓名 | HATTORI, Takenori | |||||
| 内容記述 | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | The electrical characteristics of the semiconductor device changes sensitively by the stimulus from the outside. These characteristics are being used because of that we did the electric measurement (Si and Ge) of pn junction diode in the low current region. The following evidences were found. (1) activation energy of diode (EGe = 0.46eV, Es₁= 0.96eV). (2) the temperature coefficient of diode (Ge= -2.0mV /℃,Si= -2.lmV/℃) ． (3) the voltage dependence of junction capacitance. (4) the frequency response. Therefore, it can be inferred that Ge diode is more usuful than Si diode in the low current region from the frequency characteristics of impedance and saturation current. |
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| 書誌情報 |
福岡工業大学研究論集 en : RESEARCH BULLETIN OF FUKUOKA INSTITUTE OF TECHNOLOGY 巻 31, 号 1, p. 101-115, 発行日 1998-10-15 |
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| ISSN | ||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||
| 収録物識別子 | 02876620 | |||||
| フォーマット | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | application/pdf | |||||
| 著者版フラグ | ||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||
| タイトル（ヨミ） | ||||||
| その他のタイトル | ダイオード ノ テイ デンリュウ リョウイキ ニオケル デンキテキ トクセイ | |||||
| 出版者 | ||||||
| 出版者 | 福岡工業大学 | |||||
| 出版者（ヨミ） | ||||||
| 値 | フクオカ コウギョウ ダイガク | |||||
| 別言語の出版者 | ||||||
| 値 | Fukuoka Institute of Technology | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | 論文(Article) | |||||
| 資源タイプ・ローカル | ||||||
| 値 | 紀要論文 | |||||
| 資源タイプ・NII | ||||||
| 値 | Departmental Bulletin Paper | |||||
| 資源タイプ・DCMI | ||||||
| 値 | text | |||||
| 資源タイプ・ローカル表示コード | ||||||
| 値 | 02 | |||||
