WEKO3
アイテム
Distribution of Electrically Active Nickel Atoms in Dislocation-Free N-and P-Type Silicon Crystals Measured by Deep Level Transient Spectroscopy
http://hdl.handle.net/11478/835
http://hdl.handle.net/11478/83506ff7b45-ace5-4d6f-82f0-12cab466e507
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
|---|---|---|
11478-835_13p田中秀司.pdf (433.2 kB)
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| Item type | 紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1) | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2018-10-12 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | Distribution of Electrically Active Nickel Atoms in Dislocation-Free N-and P-Type Silicon Crystals Measured by Deep Level Transient Spectroscopy | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | eng | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | nickel distrihution | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | dislocation-free silicon | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | n-silicon | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | p-silicon | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | U-shaped profile | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | DLTS | |||||
| キーワード | ||||||
| 言語 | en | |||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | nickel distrihution | |||||
| キーワード | ||||||
| 言語 | en | |||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | dislocation-free silicon | |||||
| キーワード | ||||||
| 言語 | en | |||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | n-silicon | |||||
| キーワード | ||||||
| 言語 | en | |||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | p-silicon | |||||
| キーワード | ||||||
| 言語 | en | |||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | U-shaped profile | |||||
| キーワード | ||||||
| 言語 | en | |||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | DLTS | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||
| 資源タイプ | departmental bulletin paper | |||||
| 著者 |
田中, 秀司
× 田中, 秀司× 北川, 興 |
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| 著者(ヨミ) | ||||||
| 識別子Scheme | WEKO | |||||
| 識別子 | 1768 | |||||
| 姓名 | タナカ, シュウジ | |||||
| 著者(ヨミ) | ||||||
| 識別子Scheme | WEKO | |||||
| 識別子 | 1769 | |||||
| 姓名 | キタガワ, ハジメ | |||||
| 別言語の著者 | ||||||
| 識別子Scheme | WEKO | |||||
| 識別子 | 1770 | |||||
| 姓名 | Tanaka, Shuji | |||||
| 別言語の著者 | ||||||
| 識別子Scheme | WEKO | |||||
| 識別子 | 1771 | |||||
| 姓名 | Kitagawa, Hajime | |||||
| 内容記述 | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | Distribution profiles of electrically active nickel atoms inn-and p-typc dislocation-free silicon arc measured by means of the deep level transient spectroscopy (DLTS) on Schottky barrier diodes (SBD) fabricated on nickel-doped silicon. The processes of lapping-off the surface. etching, SBD formation and DLTS measurement were repeated on one sample until the total removed-off thickness exceeded the half of the initial sample thickness. The distribution profiles were evaluated by measuring the concentrations of the clcctron trap (nickel acceptor level) in n-type and the hole trap (nickel donor level) in p-type silicon as functions of x/, where x is the distance from the surface and I is the sample thickness. The distributions manifest U-shaped diffusion profiles irrespective of one-sided or double-sided diffusion conditions. The experimental results have shown. in the bulk, the flat profiles peculiar to those according to the dissociative mechardsm of diffusion in which the sinks and sourees of lattice vacancics are present in the bulk. |
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| 書誌情報 |
福岡工業大学研究論集 巻 39, 号 1, p. 13-15, 発行日 2006-09-30 |
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| ISSN | ||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||
| 収録物識別子 | 02876620 | |||||
| 書誌レコードID | ||||||
| 収録物識別子タイプ | NCID | |||||
| 収録物識別子 | AN10036974 | |||||
| フォーマット | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | application/pdf | |||||
| 形態 | ||||||
| 値 | 433191 bytes | |||||
| 著者版フラグ | ||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||
| 日本十進分類法 | ||||||
| 主題Scheme | NDC | |||||
| 主題 | 549.8 | |||||
| 出版者 | ||||||
| 出版者 | 福岡工業大学 | |||||
| 出版者（ヨミ） | ||||||
| 値 | フクオカ コウギョウ ダイガク | |||||
| 別言語の出版者 | ||||||
| 値 | Fukuoka Institute of Technology | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | 論文(Article) | |||||
| 資源タイプ・ローカル | ||||||
| 値 | 紀要論文 | |||||
| 資源タイプ・NII | ||||||
| 値 | Departmental Bulletin Paper | |||||
| 資源タイプ・DCMI | ||||||
| 値 | text | |||||
| 資源タイプ・ローカル表示コード | ||||||
| 値 | 02 | |||||
| コメント | ||||||
| 値 | 著者所属 ： 田中 秀司 福岡工業大学電子情報工学科(Department of Information Electronics, Faculty of Engineering, Fukuoka Institute of Technology) | |||||
