WEKO3
アイテム
高周波CH₄-ArプラズマCVDによるダイヤモンド状炭素薄膜の生成
http://hdl.handle.net/11478/00001682
http://hdl.handle.net/11478/0000168225aa2386-1a6e-4d85-bb45-03e3d0aa1db1
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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27(1)-1.pdf (200.2 kB)
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| アイテムタイプ | 紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1) | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2021-03-02 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | 高周波CH₄-ArプラズマCVDによるダイヤモンド状炭素薄膜の生成 | |||||
| 言語 | ja | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | jpn | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | deposition | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | PCVD | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | DLC film | |||||
| キーワード | ||||||
| 言語 | en | |||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | deposition | |||||
| キーワード | ||||||
| 言語 | en | |||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | PCVD | |||||
| キーワード | ||||||
| 言語 | en | |||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | DLC film | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||
| 資源タイプ | departmental bulletin paper | |||||
| 著者 |
工藤, 孝一
× 工藤, 孝一 |
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| 著者(ヨミ) | ||||||
| 識別子Scheme | WEKO | |||||
| 識別子 | 3330 | |||||
| 姓名 | クドウ, コウイチ | |||||
| 別言語の著者 | ||||||
| 識別子Scheme | WEKO | |||||
| 識別子 | 3331 | |||||
| 姓名 | Kuoo, Kouichi | |||||
| 内容記述 | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | For technological applications of a diamond film, smoothness of its surface is necessary. In general diamond film which was prepared by plasma chemical vapor deposition was composed of diamond multi-particles. 0. Matsumoto reported that the diamond like film deposited from the CH₄-Ar plasma appeared mica-like and did not contain diamond-like particles. The mophology of this mica-like film deposition was caused by a effect of dilution gas. Diamond-like carbon was deposited from CH₄-Ar plasma using rf discharge. It was identified by the X-ray diffraction analysis that the deposit was amorphous. The optical energy gap of the deposit which was prepared at rf power 50 [WJ, pressure 0.5 [Torr], substrate temperature 150［℃］was 2.8 [eV]. The resistivity of the deposit was ~107 [Q-cm]. The surface of the deposit was smooth less than few nano-meter. |
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| bibliographic_information |
福岡工業大学研究論集 en : RESEARCH BULLETIN OF FUKUOKA INSTITUTE OF TECHNOLOGY 巻 27, 号 1, p. 1-5, 発行日 1994-10-15 |
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| item_3_source_id_7 | ||||||
| 収録物識別子タイプ | PISSN | |||||
| 収録物識別子 | 02876620 | |||||
| フォーマット | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | application/pdf | |||||
| 出版タイプ | ||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||
| その他の言語のタイトル | ||||||
| その他のタイトル | Deposition of Diamond-like Carbon Films from CHcAr Plasma CVD using rf Discharge | |||||
| 言語 | en | |||||
| タイトル（ヨミ） | ||||||
| その他のタイトル | コウシュウハ CH₄-Ar プラズマ CVD ニヨル ダイヤモンド ジョウタンソ ハクマク ノ セイセイ | |||||
| 言語 | ja | |||||
| 出版者 | ||||||
| 出版者 | 福岡工業大学 | |||||
| 出版者（ヨミ） | ||||||
| 値 | フクオカ コウギョウ ダイガク | |||||
| item_3_text_39 | ||||||
| 値 | Fukuoka Institute of Technology | |||||
| item_3_description_47 | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | 論文(Article) | |||||
| item_3_text_48 | ||||||
| 値 | 紀要論文 | |||||
| item_3_text_49 | ||||||
| 値 | Departmental Bulletin Paper | |||||
| item_3_text_50 | ||||||
| 値 | text | |||||
| item_3_text_51 | ||||||
| 値 | 02 | |||||
