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  1. 紀要・部局刊行物
  2. 福岡工業大学研究論集
  3. 研究論集 第31巻2号(通巻42号)

無転位シリコンバルク中ニッケルの析出と空格子点の生成消滅源

http://hdl.handle.net/11478/00001654
http://hdl.handle.net/11478/00001654
cb6547f9-8dfb-48c8-8829-58ab3bb549fe
名前 / ファイル ライセンス アクション
31(2)-277.pdf 31(2)-277.pdf (1.5 MB)
Item type 紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1)
公開日 2021-02-25
タイトル
タイトル 無転位シリコンバルク中ニッケルの析出と空格子点の生成消滅源
タイトル
タイトル Precipitation of Nickel in the Bulk of Dislocation-Free N-Type Silicon, and Sinks and Sources of Vacancy Annihilation and Generation
言語 en
言語
言語 jpn
キーワード
主題Scheme Other
主題 dislocation-free silicon
キーワード
主題Scheme Other
主題 nickel
キーワード
主題Scheme Other
主題 in-diffusion
キーワード
主題Scheme Other
主題 annealing
キーワード
主題Scheme Other
主題 dissociative mechanism
キーワード
主題Scheme Other
主題 precipitation
キーワード
主題Scheme Other
主題 vacancy sinks and sources
キーワード
主題Scheme Other
キーワード
言語 en
主題Scheme Other
主題 dislocation-free silicon
キーワード
言語 en
主題Scheme Other
主題 nickel
キーワード
言語 en
主題Scheme Other
主題 in-diffusion
キーワード
言語 en
主題Scheme Other
主題 annealing
キーワード
言語 en
主題Scheme Other
主題 dissociative mechanism
キーワード
言語 en
主題Scheme Other
主題 precipitation
キーワード
言語 en
主題Scheme Other
主題 vacancy sinks and sources
キーワード
言語 en
主題Scheme Other
資源タイプ
資源タイプ識別子 http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
資源タイプ departmental bulletin paper
著者 田中, 秀司

× 田中, 秀司

WEKO 3223

田中, 秀司

Search repository
北川, 興

× 北川, 興

WEKO 3224

北川, 興

Search repository
著者(ヨミ)
識別子Scheme WEKO
識別子 3225
姓名 タナカ, シュウジ
著者(ヨミ)
識別子Scheme WEKO
識別子 3226
姓名 キタガワ, ハジメ
別言語の著者
識別子Scheme WEKO
識別子 3227
姓名 TANAKA, Shuji
別言語の著者
識別子Scheme WEKO
識別子 3228
姓名 KITAGAWA, Hajime
内容記述
内容記述タイプ Other
内容記述 Interstitial nickel atoms in silicon can precipitate in the bulk. The distribution of the nickel precipitates within the silicon crystal in in-diffusion and annealing processes of nickel in dislocation-free n-type silicon is investigated using an infrared microscope. The average diameter of nickel precipitates is ranged from 10 to 20 µm in the in-diffusion process and from 20 to 40 µm in the annealing process. The precipitate density is high in the vicinity of the surface and gradually decreases toward the interior of the crystal. The results indicate that most nickel atoms are precipitated in the bulk and electrically inactive. The in-diffusion and annealing processes of nickel in silicon are understood by the model that a part of the precipitates can work as sinks and sources of vacancy annihilation and generation. Possible models for the morphology and structure of the nickel precipitates are considered.
書誌情報 福岡工業大学研究論集
en : RESEARCH BULLETIN OF FUKUOKA INSTITUTE OF TECHNOLOGY

巻 31, 号 2, p. 277-285, 発行日 1999-03-15
ISSN
収録物識別子タイプ ISSN
収録物識別子 02876620
フォーマット
内容記述タイプ Other
内容記述 application/pdf
著者版フラグ
出版タイプ VoR
出版タイプResource http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85
タイトル(ヨミ)
その他のタイトル ムテンイ シリコン バルクチュウ ニッケル ノ セキシュツ ト カラコウシテン ノ セイセイ ショウメツゲン
出版者
出版者 福岡工業大学
出版者(ヨミ)
値 フクオカ コウギョウ ダイガク
別言語の出版者
値 Fukuoka Institute of Technology
資源タイプ
内容記述タイプ Other
内容記述 論文(Article)
資源タイプ・ローカル
値 紀要論文
資源タイプ・NII
値 Departmental Bulletin Paper
資源タイプ・DCMI
値 text
資源タイプ・ローカル表示コード
値 02
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Ver.1 2023-05-15 12:41:56.234875
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