WEKO3
アイテム
無転位シリコンバルク中ニッケルの析出と空格子点の生成消滅源
http://hdl.handle.net/11478/00001654
http://hdl.handle.net/11478/00001654cb6547f9-8dfb-48c8-8829-58ab3bb549fe
名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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Item type | 紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1) | |||||
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公開日 | 2021-02-25 | |||||
タイトル | ||||||
タイトル | 無転位シリコンバルク中ニッケルの析出と空格子点の生成消滅源 | |||||
タイトル | ||||||
タイトル | Precipitation of Nickel in the Bulk of Dislocation-Free N-Type Silicon, and Sinks and Sources of Vacancy Annihilation and Generation | |||||
言語 | en | |||||
言語 | ||||||
言語 | jpn | |||||
キーワード | ||||||
主題Scheme | Other | |||||
主題 | dislocation-free silicon | |||||
キーワード | ||||||
主題Scheme | Other | |||||
主題 | nickel | |||||
キーワード | ||||||
主題Scheme | Other | |||||
主題 | in-diffusion | |||||
キーワード | ||||||
主題Scheme | Other | |||||
主題 | annealing | |||||
キーワード | ||||||
主題Scheme | Other | |||||
主題 | dissociative mechanism | |||||
キーワード | ||||||
主題Scheme | Other | |||||
主題 | precipitation | |||||
キーワード | ||||||
主題Scheme | Other | |||||
主題 | vacancy sinks and sources | |||||
キーワード | ||||||
主題Scheme | Other | |||||
キーワード | ||||||
言語 | en | |||||
主題Scheme | Other | |||||
主題 | dislocation-free silicon | |||||
キーワード | ||||||
言語 | en | |||||
主題Scheme | Other | |||||
主題 | nickel | |||||
キーワード | ||||||
言語 | en | |||||
主題Scheme | Other | |||||
主題 | in-diffusion | |||||
キーワード | ||||||
言語 | en | |||||
主題Scheme | Other | |||||
主題 | annealing | |||||
キーワード | ||||||
言語 | en | |||||
主題Scheme | Other | |||||
主題 | dissociative mechanism | |||||
キーワード | ||||||
言語 | en | |||||
主題Scheme | Other | |||||
主題 | precipitation | |||||
キーワード | ||||||
言語 | en | |||||
主題Scheme | Other | |||||
主題 | vacancy sinks and sources | |||||
キーワード | ||||||
言語 | en | |||||
主題Scheme | Other | |||||
資源タイプ | ||||||
資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||
資源タイプ | departmental bulletin paper | |||||
著者 |
田中, 秀司
× 田中, 秀司× 北川, 興 |
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著者(ヨミ) | ||||||
識別子Scheme | WEKO | |||||
識別子 | 3225 | |||||
姓名 | タナカ, シュウジ | |||||
著者(ヨミ) | ||||||
識別子Scheme | WEKO | |||||
識別子 | 3226 | |||||
姓名 | キタガワ, ハジメ | |||||
別言語の著者 | ||||||
識別子Scheme | WEKO | |||||
識別子 | 3227 | |||||
姓名 | TANAKA, Shuji | |||||
別言語の著者 | ||||||
識別子Scheme | WEKO | |||||
識別子 | 3228 | |||||
姓名 | KITAGAWA, Hajime | |||||
内容記述 | ||||||
内容記述タイプ | Other | |||||
内容記述 | Interstitial nickel atoms in silicon can precipitate in the bulk. The distribution of the nickel precipitates within the silicon crystal in in-diffusion and annealing processes of nickel in dislocation-free n-type silicon is investigated using an infrared microscope. The average diameter of nickel precipitates is ranged from 10 to 20 µm in the in-diffusion process and from 20 to 40 µm in the annealing process. The precipitate density is high in the vicinity of the surface and gradually decreases toward the interior of the crystal. The results indicate that most nickel atoms are precipitated in the bulk and electrically inactive. The in-diffusion and annealing processes of nickel in silicon are understood by the model that a part of the precipitates can work as sinks and sources of vacancy annihilation and generation. Possible models for the morphology and structure of the nickel precipitates are considered. | |||||
書誌情報 |
福岡工業大学研究論集 en : RESEARCH BULLETIN OF FUKUOKA INSTITUTE OF TECHNOLOGY 巻 31, 号 2, p. 277-285, 発行日 1999-03-15 |
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ISSN | ||||||
収録物識別子タイプ | ISSN | |||||
収録物識別子 | 02876620 | |||||
フォーマット | ||||||
内容記述タイプ | Other | |||||
内容記述 | application/pdf | |||||
著者版フラグ | ||||||
出版タイプ | VoR | |||||
出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||
タイトル(ヨミ) | ||||||
その他のタイトル | ムテンイ シリコン バルクチュウ ニッケル ノ セキシュツ ト カラコウシテン ノ セイセイ ショウメツゲン | |||||
出版者 | ||||||
出版者 | 福岡工業大学 | |||||
出版者(ヨミ) | ||||||
値 | フクオカ コウギョウ ダイガク | |||||
別言語の出版者 | ||||||
値 | Fukuoka Institute of Technology | |||||
資源タイプ | ||||||
内容記述タイプ | Other | |||||
内容記述 | 論文(Article) | |||||
資源タイプ・ローカル | ||||||
値 | 紀要論文 | |||||
資源タイプ・NII | ||||||
値 | Departmental Bulletin Paper | |||||
資源タイプ・DCMI | ||||||
値 | text | |||||
資源タイプ・ローカル表示コード | ||||||
値 | 02 |