WEKO3
アイテム
低温領域によるユニポーラデバイスの電気的特性の変化
http://hdl.handle.net/11478/00001635
http://hdl.handle.net/11478/00001635ccd1a5c0-f22d-409a-96c9-a26aa9463082
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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32(2)-271.pdf (390.4 kB)
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| Item type | 紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1) | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2021-02-09 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | 低温領域によるユニポーラデバイスの電気的特性の変化 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | A Change of Electric Characteristics of Unipolar Device in Low Temperature Region | |||||
| 言語 | en | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | jpn | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | JFET | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | transfer characteristics | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | saturated current | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | unipolar device | |||||
| キーワード | ||||||
| 言語 | en | |||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | JFET | |||||
| キーワード | ||||||
| 言語 | en | |||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | transfer characteristics | |||||
| キーワード | ||||||
| 言語 | en | |||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | saturated current | |||||
| キーワード | ||||||
| 言語 | en | |||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | unipolar device | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||
| 資源タイプ | departmental bulletin paper | |||||
| 著者 |
篠田, 鼎
× 篠田, 鼎× 服部, 毅範 |
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| 著者(ヨミ) | ||||||
| 識別子Scheme | WEKO | |||||
| 識別子 | 3112 | |||||
| 姓名 | シノダ, カナエ | |||||
| 著者(ヨミ) | ||||||
| 識別子Scheme | WEKO | |||||
| 識別子 | 3113 | |||||
| 姓名 | ハットリ, タケノリ | |||||
| 別言語の著者 | ||||||
| 識別子Scheme | WEKO | |||||
| 識別子 | 3153 | |||||
| 姓名 | SHINODA, Kanae | |||||
| 別言語の著者 | ||||||
| 識別子Scheme | WEKO | |||||
| 識別子 | 3154 | |||||
| 姓名 | HATTORI, Takenori | |||||
| 内容記述 | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | We measured an electric characteristics of JFET used as the voltage control element in low temperature region. The following evidence were found as a result. (1) Operating resistance（△IDo/△VDS ） become large in saturated region. (2) Operating point that does not receive influence of temperature is V Gs = -1.6 [VJ. (3) The curve of I0 slips off in low temperature region (-75, -100, -120℃)． Accordingly, we should consider the application of JFET in low temperature region when design a circuit as variable constant current element and small signal amplifier. |
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| 書誌情報 |
福岡工業大学研究論集 en : RESEARCH BULLETIN OF FUKUOKA INSTITUTE OF TECHNOLOGY 巻 32, 号 2, p. 271-276, 発行日 2000-03-15 |
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| ISSN | ||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||
| 収録物識別子 | 02876620 | |||||
| フォーマット | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | application/pdf | |||||
| 著者版フラグ | ||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||
| タイトル（ヨミ） | ||||||
| その他のタイトル | テイオン リョウイキ ニヨル ユニポーラ デバイス ノ デンキテキ トクセイ ノ ヘンカ | |||||
| 出版者 | ||||||
| 出版者 | 福岡工業大学 | |||||
| 出版者（ヨミ） | ||||||
| 値 | フクオカ コウギョウ ダイガク | |||||
| 別言語の出版者 | ||||||
| 値 | Fukuoka Institute of Technology | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | 論文(Article) | |||||
| 資源タイプ・ローカル | ||||||
| 値 | 紀要論文 | |||||
| 資源タイプ・NII | ||||||
| 値 | Departmental Bulletin Paper | |||||
| 資源タイプ・DCMI | ||||||
| 値 | text | |||||
| 資源タイプ・ローカル表示コード | ||||||
| 値 | 02 | |||||
